IC China 2026(博览会) 打造半导体与存储产业融合新高地

2026 年 11 月 12-14 日，第二十三届中国国际半导体博览会（IC China 2026）将在北京・国家会议中心盛大启幕。作为国内半导体行业的风向标盛会，本届展会在延续全产业链展示优势的基础上，重磅升级打造 **“半导体与存储融合展区”**，以 “芯存协同，智算未来” 为主题，聚焦高带宽内存（HBM）、DDR5、PCIe 5.0 SSD、车规级存储、先进封装与存算一体等前沿赛道，为行业构建一个集技术展示、供需对接、生态共建于一体的顶级平台。

一、AI 驱动，存储产业迎来史诗级变革

• 容量极限：千亿级参数的大模型训练，需要海量数据作为燃料，单颗 GPU 对显存的需求已从 GB 级跃升至 TB 级。
• 带宽极限：数据搬运速度直接决定了模型的训练效率，HBM（高带宽内存）凭借其远超传统 GDDR 的带宽，成为 AI 服务器的 “标配”。
• 能效极限：在高密算力集群中，数据搬运的功耗远超计算本身，对存储的低功耗、高集成度提出了前所未有的要求。

正是在这样的背景下，存储产业迎来了前所未有的机遇与挑战。技术路线上，从 3D NAND 向更高堆叠层数演进，从 DDR5 向更高速率迭代，HBM3E/HBM4、UFS 4.1、PCIe 5.0 SSD 等新技术加速落地；应用场景上，数据中心、AI 服务器、智能汽车、消费电子等终端需求全面爆发，推动存储芯片、模组、控制器、系统方案等全产业链协同创新。

二、IC China 2026：打造存储产业的 “全景式” 交流平台

• 核心存储芯片：DRAM、NAND Flash、NOR Flash、HBM 等存储介质的设计与制造技术。
• 先进封装与测试：TSV、3D 堆叠、CoWoS 等先进封装工艺，以及存储芯片的测试设备与方案。
• 存储模组与系统：DDR5 内存模组、企业级 SSD、AI SSD、车规级存储方案等终端产品。
• 创新技术与应用：存算一体、近存计算、新型存储介质（MRAM/ReRAM）等前沿技术探索。

在这里，存储芯片原厂、封测厂、模组厂商、方案服务商与终端用户将实现零距离对接，共同探讨高密算力时代下的存储技术突破与产业机遇。

三、从 “芯” 到 “存”，构建协同创新的产业生态

• 直击行业痛点：邀请行业专家、龙头企业代表，围绕 HBM 国产化、先进封装技术瓶颈、存储控制器自主化、AI 数据中心存储架构等热点议题展开深度探讨。
• 推动供需匹配：组织数据中心运营商、AI 算力企业、汽车电子厂商等终端用户，与存储产业链企业进行精准对接，加速技术成果的商业化落地。
• 引领技术风向：发布最新的存储产业白皮书与技术路线图，为行业发展提供权威指引。

在 AI 驱动的新一轮产业革命中，半导体与存储产业的深度融合，是实现 “算力自由” 的必由之路。IC China 2026，诚邀全球半导体与存储产业同仁，共聚北京，共探芯存协同新路径，共筑智算未来新生态！

IC China 2026 中国国际半导体博览会

时间：2026 年 11 月 12-14 日

地点：北京・国家会议中心